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东芯半导体19nmNANDFlash闪存已流片正进行产品调试

2022-08-20 17:11来源:TechWeb   阅读量:14920   

说到国产NAND闪存,大家首先想到的肯定是长江存储,但是这个行业还是有很多公司在努力的。

日前,东信半导体在回应投资者提问时透露,其19nm先进工艺的NAND Flash闪存产品已经完成了芯片的第一轮轮换,目前正在进行产品调试。

东信表示,公司正在不断研究工艺更新,从38nm,24nm到正在开发的19nm工艺,通过工艺更新为客户带来更高性价比,更高产能的产品。

对于是否会进军3D NAND闪存,东信回应称,目前专注于中小容量通用存储芯片的R&D,设计和销售,暂时不涉及3D NAND业务。

此外,车辆仪表存储器产品对各项指标要求较高,因此认证和进口需要较长时间目前,相关产品正在积极开发和进口

公开资料显示,东芯半导体股份有限公司成立于2014年,总部位于上海,在深圳,南京,香港,韩国设有分公司或子公司它致力于成为领先的存储芯片设计公司,服务于世界各地的客户

作为无晶圆厂芯片企业,东芯半导体拥有自主知识产权,专注于中小尺寸n and,NOR和DRAM芯片的设计,生产和销售它是目前中国为数不多的能够同时提供NAND,NOR和DRAM设计工艺和产品解决方案的存储芯片R&D和设计公司

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责任编辑:文辉

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